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https://zhuanlan.zhihu.com/p/627566068
看了这篇文章，对 DDR 有两个疑问。求各位大佬不吝赐教。
首先为什么说“column line 上的功能要远比 row line 上的器件复杂”，就因为 column 线连接着 data buffer 吗？还是说有着其他理由？
原文提到：多 bank 情况下，交叉读写不同 bank ，可以有效提高读写带宽。一个 bank 完成对一行的数据读写后，如果需要再次读取同一 bank 的另外一行上的数据，那必须耗费较长的时间重新打开一行，如果只有一个 bank ，那此时总线必须处于等待状态。这就叫做“交织”。
上面这一段话我理解它的意思，但是为什么上面这个图是这么画的？ 但我觉得应该这样画吧：
- 0 0 0 0 [ bank0 ]
- 0 0 0 1 [ bank1 ]
- 0 0 1 0 [ bank2 ]
- 0 0 1 1 [ bank3 ]
- 以此类推...
这样我在对 地址 [ 0 0 0 0 ] 请求还没结束的时候，就可以去请求 [ 0 0 0 1 ] 地址了。或者说，这样的地址排布才是最“交织”的呀。（ PS：原文说：该编码保证对同一 bank 的连续地址访问都是在同一行上的，我好像没有理解到 这个好处）
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liwufan 208 天前  2
物理法则限制
1. column 上有放大器，电荷小导线长。 2. bank 切换不需要释放寄存器重新充电。 有个完美的视频讲解 分别在第 15 分钟和第 25 分钟有详细的讲解 |
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Ayahuasec 208 天前 via Android 1
DDR 控制器发出列地址以后，需要等待一段时间才能读写数据，在此期间可以多发几个地址，延迟时间到了以后连续读写。这样性能比较高。
DDR 跨行访问要先把当前行关掉，再打开新的行，这个步骤会引入额外的延迟。（或者考虑用自动预充电） 每个 Bank 是相对独立的，可以同时打开多个 Bank 的行。多个 Bank 只是共享了一个 DDR 的接口。 实际设计为了提高随机读写性能，我见过的比较多的设计是按 Row-Column-Bank 去编址的。 可以看一下 micron 的内存颗粒文档的时序图，我记得是比较全的。 |
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allmightbe OP @liwufan #1
@Ayahuasec #2 两位大佬，谢谢回答了。现在我对 DDR 又有了进一步的理解。但又有了新的疑问。 先说下我现有的理解： - x4/x8/x16 ，是指的 memory array 堆叠的高度。在一个 bank 里，原来一个坐标 [row ，col] 只能定位到 1bit ，现在如果是 x8 ，那么一个坐标 [row ，col] 可以定位到 8bit 。 - 2n/4n/8n prefetch ，主要指的 双边沿采样技术。如果是 x8 和 4n 预取的配置，那么一次访问，可以访问到 4*8bit ，也就是 4 字节。 对于上面的总结，我有点疑问，就是这个预取的东西，肯定是一个缓存，它是放到了什么位置呢，是 bank 内的一个缓存吗？ 另外，这篇文章 https://depletionmode.com/ram-mapping.html 讲到了另外一个知识点： 'physical' address actual memory address 0x00f00010 -> 0x00f00010 0x00f00011 -> 0x00f00010 0x00f00012 -> 0x00f00010 0x00f00013 -> 0x00f00010 0x00f00014 -> 0x00f00010 0x00f00015 -> 0x00f00010 0x00f00016 -> 0x00f00010 0x00f00017 -> 0x00f00010 大概意思就是，如果 cpu 发出一个地址，如果这个地址在 8 字节对齐范围内，那么其实都对于同一个地址去了。之所以是 8 ，是因为一个 rank 里面有 8 个 chip 。 进一步的，因为有 8 字节的数据，但实际上又只需要 1 字节的数据，所以还要通过原地址低 3bit 来选出那个字节。 然后，作者说，这个东西和 CPU 的 cache line 有关系。 对于上面的总结，我有点疑问，这个一次性取 8 字节的东西，是在哪个地方或者说哪个接口？ 另外，我最大的疑问，我现在把这个一次性 取 8 字节的东西 和 prefetch 有点搞混了，但是它们俩 又好像有点相似之处？所以它们到底是不是同样的东西？还是说 这两个技术 是同时存在的吗，可以根据具体的配置，举一个具体的例子吗？ |
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liwufan 208 天前
@allmightbe
x4/x8/x16 是宽度，画 pcb 时候看的。 prefetch 是 stack depth ，burst mode 在 mode register 里面 set 好以后，读写是两个 buster 。ddr5 能做 16n 。 过去寄存和缓存是外置的，比如 rdimm ，rbdimm 。现在都做到 die 上面了。 cpu 一次取几个 bit 就是 primary bus width = banks x bank width ，和 rank 无关。 rank 是 oem 定制容量用的，客户要多大容量就插几个 rank 。不影响电气特性（超频玩家不属于正常客户 详细建议搜 micron product datasheet 。 |
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Ayahuasec 207 天前
@allmightbe
关于缓存，我印象里每个 bank 是有一个 row buffer 的。 一次性取 8 个字节，大概是因为 DIMM 的位宽是 64 bits 的吧（带 ECC 是 72 bits ，不过有效数据还是 64 bits ），但是实际上 burst length 对于 DDR4 的情况是常用 8 （因为好像从 DDR3 开始 prefetch 一般都是做的 8n ），也就是说一次连续的读写会涉及到 64 bytes 。如果要在一次读写中只让部分数据有效，一个是会用到 Data Mask 引脚，把部分数据位掩码掉；另一个是 burst chop ，让 burst length 变为 4 。但是如果都是短字节的随机读写，就会让 DDR 接口上一次读写操作中有大部分数据是浪费的。所以 CPU 里要做 Cache ，在需要的时候按 Page 为单位和 RAM 做数据交换，从而把内部比较随机的 RAM 读写变成相对连续的 DDR 读写。 不过关于一次读写的数据长度这一点上，我理解这个还是要和具体的 DDR 控制器设计相关的，我见过的一个用到 DDR 的设计是一个 Memory Channel 只带 2 个颗粒，DQ 位宽 16 bits ，burst length 固定为 8 ，这样的话发出一个地址请求，就会读写 16 bytes 的数据，内存控制器的地址是按 0x10 对齐的，也就是地址的低 4 位只用于配合读写长度进行字节的提取，但是 DDR 控制器到内存颗粒上总是一次读写就是连续的 16 bytes 。 |
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allmightbe OP |
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allmightbe OP @liwufan #4
@Ayahuasec #5 这篇文章 https://depletionmode.com/ram-mapping.html 讲的东西我稍微总结一下： 一个内存条是一个 module ，一个 module 有两面，一面就是一个 rank 。 一个 rank 上面有 8 个 chip （也就是有 8 个 黑色长方形坨坨，人眼能看到的） 一个 chip 里面，有 4 个 bank 。 它就是强调，一个地址转到了 DDR 控制器这边以后，没有用地址的部分 bit 来定位到某个 chip 上去（相反，比如会用 部分 bit 来定位到某个 row ），相反，这个地址线 连接到所有的 chip 上面去了，那么也就是说，所有 chip 都会根据地址线的信息 来返回数据。 然后地址线发送了一个地址以后，这个地址送给了所有 chip （文中是 8 个 chip ），然后 8 个 chip 都返回了 data 。 所以，最后 DDR 就一次性 返回了 8 个字节。 根据大佬的回答，和我看网上的文章。它说的这个 技术，应该不是 prefetch ，因为 prefetch 是发生在 bank 内部的，而文章说的事情，是发生在 某个 rank 上的所有 chip 上的。 PS：不排除这个作者说的东西，是有问题的。因为别的文章没有提到过。 |
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allmightbe OP |
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liwufan 206 天前
感觉数理逻辑绕进死胡同了。我给不出准确答案。
你可以回忆一下模电概念帮助消化，prefetch 的目标是降低每个指令 duty cycle 。虽然 duty cycle 降低以后，直觉上是用无状态的 rank 去真刀真枪拼并发。但是现实上不太会这么搞，比如 https://blog.cloudflare.com/ddr4-memory-organization-and-how-it-affects-memory-bandwidth/ 里面这个内存控制器性能差异也就 2-3%。反过来看控制器里腾点空间再加一个通道，直接带宽翻倍，容量其实也翻倍了。所以用 rank 拉带宽是理论上的一种构想。 还有一点，模电上 bit 不能转为信息意义上的 byte ，int 0x01 和 char 0x31 的对位是人为定义的一种信息。所以在不考虑数电逻辑概念下，单 DQ 还有一些信号处理上的逻辑电路。 https://media-www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/technical-note/dram/tn4040_ddr4_point_to_point_design_guide.pdf?la=en&rev=d58bc222192d411aae066b2577a12677 当然这都是些 driver 相关的简单逻辑电路，实际不会影响内存访问优化逻辑或者人脑思考的对错。但是用文字沟通时会产生很多混淆的概念。 |
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allmightbe OP |
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allmightbe OP @liwufan
@Ayahuasec 不过，micron 的 block 图里面，有一个地方不是太懂了。  就是上图的两个粗箭头。 上面那个粗箭头，我是理解的：从 row line 选中一行后，就会输出 1024 x 4 的 data 出来，所以和这个粗箭头是 1024 x 4=4096 宽。 - 粗箭头，我理解是代表这个接口处的线很多。上面的粗箭头，则有 4096 根线。 但下面那个粗箭头，就不是很理解了： - 本身它是个粗箭头，我就不是很理解。这里，我理解是为了选择确认某一 col ，那也是 10 根线，就可以了。 - 另外，这个粗箭头，到底是 1024 的宽度，还是 1024x4 的宽度呢？（就是那个括号里的 x4 要算上吗） PS：不知道这个 block 图和实际硬件设计，是否能完全关联起来。也许这个粗箭头，只是一个逻辑上的概念。 |
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liwufan 206 天前
1024 就是解码电路 https://en.wikipedia.org/wiki/Binary_decoder 。
我发的视频你没看，里面就是在讲电路 |
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allmightbe OP @liwufan #13
是我蠢了。我理解这个 Decoder 的意思了。因为每行有 1024x4 的数据，所以下面那个粗箭头，需要有 4096 根来分别选中它们。 视频我又看了一遍，那我理解 下面那个粗箭头，应该就是 1024x4 的宽度（要把括号里的 x4 乘进去）。毕竟都叫 bit line 了。 视频我是看了，只是我是 最开始，当时那一遍没太看懂。后面这两天 又看了好多乱七八糟文档文章。 |
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allmightbe OP  |
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deorth 206 天前 via Android
v 站大佬真多啊
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allmightbe OP @Ayahuasec #2
我见过的比较多的设计是按 Row-Column-Bank 去编址的。 ------- 对于这个地址交织，这个我是明确的：就是 row 必须在 col 左边。但至于 bank 到底放到哪里，这个有什么说法吗？ https://imgur.com/bGKe6le.png 看了一个视频，里面是这么放的： - 因为访问一般是 4 字节对齐的，所以 col 的低 2bit 放最右边。 - 然后接着放 bank 的 2bit ，这样可以利用到 bank 之间的独立性 - 然后放 col 的高 1bit ，这样一轮循环后，使得 col 地址变成 1 时，就可以利用到 row hit 的高效率了。 不知道这么理解对不对。 |
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allmightbe OP  |
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Ayahuasec 201 天前 via Android
@allmightbe #17 一个 column 对应的是多个 bits ，比如 x16 的颗粒是 16 bits ，如果一个控制器连的所有颗粒总计 DQ 是 64 位（比如一个 dimm ），就需要 4 个 x16 的颗粒，那这种情况下每个 column 地址其实是 8 bytes 。对应到按 1 byte 的字节的地址空间，其实是低 3 位不用。
举个例子，假如说地址空间是 32 位，那 Row-Column-Bank 编址可能是{row[15:0], column[9:0], bank_addr[2:0], 3'h0}，这样连续读写可以用到所有 Bank 。 未对齐的访问一般在 Cache 端的控制器做，或者用 CPU 的异常中断做，Cache 到 DDR 一般只让对齐访问。 |
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Ayahuasec 201 天前 via Android
@allmightbe #18 修一个上一个回复（#19 ）的 bug ，看到你这张图我想起来了，BL=8 的时候列地址的低 3 位也是不用的，保持为 0 。列地址一般是 10 bits ，上面这个例子其实应该是{row[15:0], column[9:3], bank_addr[2:0], 6'h0}，或者也可以说是{row[15:0], column[9:3], bank_addr[2:0], column[2:0], 3'h0}。
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